碳化硅廠家 碳化硅芯片公司「瞻芯電子」完成過億元融資，青

10月16日，碳化硅芯片公司「瞻芯電子」在上海臨港舉辦新品發(fā)布會并公布了最新融資進展。「瞻芯電子」已于今年完成過億元人民幣融資，投資方包括臨芯投資、金浦投資以及幾家重要產(chǎn)業(yè)協(xié)同方，青桐資本擔任財務(wù)顧問。

當日活動現(xiàn)場，「瞻芯電子」正式發(fā)布基于6英寸晶圓通過JEDEC(暨工規(guī)級)認證的1200V 80mohm碳化硅（SiC）MOSFET產(chǎn)品。這是首款在國內(nèi)設(shè)計研發(fā)、國內(nèi)6英寸生產(chǎn)線制造流片的碳化硅MOSFET，該產(chǎn)品的發(fā)布填補了國內(nèi)空白，產(chǎn)品性能達到國際先進水平。

「瞻芯電子」是一家聚焦于碳化硅（SiC）半導體領(lǐng)域的高科技芯片公司，2017年成立于上海自貿(mào)區(qū)臨港新片區(qū)。公司齊聚海內(nèi)外一支經(jīng)驗豐富的SiC工藝及器件設(shè)計、SiC MOSFET驅(qū)動芯片設(shè)計、電力電子系統(tǒng)應(yīng)用、市場推廣和產(chǎn)品運營等方面高素質(zhì)核心團隊。

自成立之日起，「瞻芯電子」便啟動6英寸SiC MOSFET產(chǎn)品和工藝的研發(fā)工作。2018年5月，全部打通了SiC MOSFET的關(guān)鍵工藝并制造出第一片國產(chǎn)6英寸SiC MOSFET晶圓。經(jīng)過三年的深度研發(fā)和極力攻關(guān)，堅守嚴謹高要求的測試標準，成為中國第一家自主開發(fā)并掌握6英寸SiC MOSFET產(chǎn)品以及工藝平臺的公司。2020年9月11日碳化硅廠家，「瞻芯電子」具有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的碳化硅1200V 80mohm MOSFET產(chǎn)品通過JEDEC工規(guī)級認證，成為國內(nèi)主流的工業(yè)級碳化硅MOSFET功率器件廠商。

發(fā)布會上，CEO張永熙博士詳細介紹了工藝開發(fā)和產(chǎn)品開發(fā)流程，嚴謹?shù)目煽啃则炞C步驟，并與國際知名廠商對比產(chǎn)品的關(guān)鍵指標以及可靠性數(shù)據(jù)，產(chǎn)品整體達到國際先進水平；COO陳儉介紹了貫徹“客戶至上”理念的客戶支持團隊、覆蓋研發(fā)到生產(chǎn)過程的嚴格質(zhì)量管理體系、有求必應(yīng)且“服務(wù)優(yōu)質(zhì)”的供應(yīng)鏈，以及碳化硅產(chǎn)品的成本降低預測；市場副總曹峻介紹了產(chǎn)品支持的應(yīng)用領(lǐng)域碳化硅廠家，包括風能和光伏逆變、工業(yè)電源、新能源汽車、電機驅(qū)動、充電樁等領(lǐng)域，以及當前的市場銷售情況。兩家客戶端企業(yè)也現(xiàn)場做了「瞻芯電子」SiC MOSFET產(chǎn)品使用的體驗和分享報告。

據(jù)公司創(chuàng)始人張永熙博士介紹，在新能源汽車電驅(qū)動中使用SiC MOSFET替代Si IGBT，整車效率提高5%-10%；在光伏逆變器中使用SiC 功率器件，整機的能耗降低50%；電力電子行業(yè)專家周滿枝介紹，使用SiC MOSFET替代Si IGBT，其開通損耗降低至三分之一，關(guān)斷損耗降至二十分之一，這使得使用SiC功率器件的產(chǎn)品可以達到更高的功率密度，使用更簡單的散熱設(shè)計，整體效率更高。

SiC MOSFET應(yīng)用于新能源汽車、光伏逆變，風能逆變、儲能設(shè)施、高速電機驅(qū)動等場合，其市場前景廣闊。預計到2027年，市場銷售額將達到100億美元，SiC功率器件是面向未來更環(huán)保，更節(jié)能的電能轉(zhuǎn)換核心器件，在整個系統(tǒng)中處于關(guān)鍵部位。

青桐資本執(zhí)行總經(jīng)理陳蓉鴻表示：“很榮幸本次能與張永熙博士領(lǐng)銜的團隊合作，「瞻芯電子」擁有一支經(jīng)驗豐富的工藝開發(fā)、器件設(shè)計、電路設(shè)計、系統(tǒng)應(yīng)用及產(chǎn)品運營的高素質(zhì)團隊，掌握6英寸成套SiC MOSFET工藝流程包括自主核心單項工藝，成為國內(nèi)首家打通6英寸SiC MOSFET工藝的芯片公司，第一期產(chǎn)品達到世界一流水平。碳化硅是制作高溫、高頻和大功率電力電子器件的理想半導體材料，市場潛力巨大。我們期待「瞻芯電子」成為世界一流的高性能碳化硅功率器件及應(yīng)用模塊產(chǎn)品研發(fā)制造商。”

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