碳化硅廠家 碳化硅：先進生產(chǎn)力代表，冉冉升起的第三代半導

（報告出品方/分析師：海通證券研究所 余偉民）

碳化硅性能優(yōu)異，先進生產(chǎn)力代表。第三代半導體材料是指以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導體材料，具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優(yōu)勢，因此采用第三代半導體材料制備的半導體器件不僅能在更高的溫度下穩(wěn)定運行，適用于高電壓、高頻率場景，還能以較少的電能消耗，獲得更高的運行能力。

1. 性能優(yōu)異，先進生產(chǎn)力代表

碳化硅是由美國人艾奇遜在1891年電熔金剛石實驗時，在實驗室偶然發(fā)現(xiàn)的一種碳化物，當時誤認為是金剛石的混合體，故取名金剛砂，1893年艾奇遜研究出來了工業(yè)冶煉碳化硅的方法，也就是大家常說的艾奇遜爐，一直沿用至今。

自碳化硅被發(fā)現(xiàn)后數(shù)十年，發(fā)展進程一直較為緩慢。直到科銳（現(xiàn)更名為Wolfspeed）成立并開始碳化硅的商業(yè)化，碳化硅行業(yè)在此后25年開始進入快速發(fā)展階段。

常見的半導體材料包括硅（Si）、鍺（Ge）等元素半導體及砷化鎵（GaAs）、碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等化合物半導體材料。從被研究和規(guī)?；瘧玫臅r間先后順序來看，上述半導體材料被業(yè)內通俗地劃分為三代。

圖：半導體演變過程

表：半導體材料特性對比

碳化硅優(yōu)勢：穩(wěn)定高效，適用高壓高頻領域

第三代半導體材料是指以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導體材料，具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優(yōu)勢，因此采用第三代半導體材料制備的半導體器件不僅能在更高的溫度下穩(wěn)定運行，適用于高電壓、高頻率場景，還能以較少的電能消耗，獲得更高的運行能力。

相比于Si，SiC具有 10 倍的擊穿電場強度、 3 倍的禁帶、2倍的極限工作溫度和超過2倍的飽和電子漂移速率。 SiC 還具有 3 倍的熱導率，這意味著 3 倍于Si的冷卻能力。

碳化硅優(yōu)勢：節(jié)能+減重，新能源領域潛力廣闊

羅姆通過輸入WLTC（全球統(tǒng)一輕型車輛測試循環(huán)）行駛循環(huán)的模擬行駛試驗條件，對逆變器進行了采用第四代SiC MOSFET和IGBT的行駛電費試驗。結果顯示，采用SiC MOSFET總電費比IGBT改善6%，市區(qū)模式改善10%。改善電力消耗也意味著，維持行車距離不變的情況下可以降低電池電容。

另一方面，碳化硅基逆變器通過提高能量傳導效率，可以做到比硅基逆變器更小更輕。羅姆在Formula E電動方程式世界錦標賽中提供的SiC逆變器，將逆變器重量降低至9kg，相較傳統(tǒng)逆變器減重6kg。

圖：羅姆第四代SiC MOSFET節(jié)能情況

圖：SiC Inverter重量明顯減輕

碳化硅分類

碳化硅襯底主要有2大類型：半絕緣型和導電型。在半絕緣型碳化硅市場，目前主流的襯底產(chǎn)品規(guī)格為4 英寸。在導電型碳化硅市場，目前主流的襯底產(chǎn)品規(guī)格為 6 英寸。

由于下游應用在射頻領域，半絕緣型SiC襯底、外延材料均受到美國商務部出口管制。

產(chǎn)業(yè)趨勢：產(chǎn)能向大尺寸轉移

目前，碳化硅產(chǎn)業(yè)中襯底仍以4-6英寸為主。若將尺寸由6英寸提高至8英寸，SiC的單片面積將增大77.8%，可利用面積大大提高。大直徑襯底能夠有效降低器件制備成本，以直徑 6英寸襯底為例，使用直徑 6英寸襯底相對直徑 4英寸襯底能夠節(jié)省大約 30%的器件制備成本。

Wolfspeed、II-IV均在2015年制備成功8英寸SiC樣片。此外，羅姆和意法半導體也分別宣布擁有8英寸襯底制作技術。

目前，國內的山西爍科已宣布可制備8英寸SiC襯底。2021年8月，山西爍科研制出8英寸碳化硅晶體。2022年1月，公司實現(xiàn)8英寸N型碳化硅拋光片小批量生產(chǎn)。

產(chǎn)業(yè)趨勢：襯底供不應求，產(chǎn)能持續(xù)擴張

據(jù) CASA Research 整理，國際龍頭紛紛大力完善產(chǎn)業(yè)布局，強化競爭優(yōu)勢，持續(xù)加大襯底產(chǎn)能的擴張。據(jù)各公司官網(wǎng)披露，Wolfspeed投資近 10 億美元進行擴產(chǎn)，預計在2017-2024間整體產(chǎn)能將擴大30倍；ROHM計劃在2017年-2024 年間產(chǎn)能擴充 16 倍；II-VI 計劃5年內產(chǎn)能擴充 5-10 倍。

產(chǎn)業(yè)趨勢：規(guī)模效應漸顯，價格逐漸降低

近年來，半絕緣型及導電型襯底的單價都在逐年遞減，我們預計隨著全球產(chǎn)能擴張逐步落地碳化硅廠家，未來3年內襯底單價將會繼續(xù)下降，從而有助于加速碳化硅下游滲透率整體提升。

據(jù)CASA預測，隨著SiC上游襯底、外延價格下降，預計 SiC 二極管和 SiC MOSFET 等器件的價格每年以超過 10%的速度下降，并逐步取代 Si 器件。

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈：襯底為核心，降本為關鍵

在碳化硅器件的成本占比當中：襯底、外延、前段分別占比47%、23%、19%。我們認為，襯底是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的核心環(huán)節(jié)，襯底行業(yè)的發(fā)展也是未來碳化硅產(chǎn)業(yè)降本、大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化的主要驅動力。

2. 襯底為核心，技術瓶頸逐步突破

碳化硅的晶體制備方法：PVT法使用最廣目前碳化硅單晶的制備方法主要有：物理氣相傳輸法（PVT）；頂部籽晶溶液生長法（TSSG）；高溫化學氣相沉積法（HT-CVD）。

其中TSSG法生長晶體尺寸較小目前僅用于實驗室生長，商業(yè)化的技術路線主要是PVT和HT-CVD。與HT-CVD法相比，采用PVT法生長的SiC單晶所需要的設備簡單，操作容易控制，設備價格以及運行成本低，因此PVT法為工業(yè)生產(chǎn)所采用的主要方法。

碳化硅的晶體制備方法：PVT法使用最廣

目前，行業(yè)內最常見的制備方法為PVT法。PVT法是以高純碳粉、高純硅粉為原料合成碳化硅粉，在特殊溫場下，采用成熟的物理氣相傳輸法（PVT法）生長不同尺寸的碳化硅晶錠，經(jīng)過多道加工工序產(chǎn)出碳化硅襯底，主要工序涉及原料合成、晶體生長、晶錠加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片拋光、拋光片清洗等環(huán)節(jié)。

碳化硅晶型：4H晶型最優(yōu)

碳化硅的典型結構可分為兩類，一類是閃鋅礦結構的立方碳化硅晶型，稱為 3C-SiC 或 β-SiC，另一類是六角型或菱形結構的大周期結構其中典型的 有 6H-SiC、4H-SiC、15R-SiC 等，統(tǒng)稱為 α-SiC。

3C-SiC 制造器件方面具有高電阻率的優(yōu)勢。然而，Si和SiC晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)的高度不匹配會導致 3C-SiC外延層中產(chǎn)生大量缺陷。

4H-SiC在制造 MOSFET 方面非常有潛力，因為其晶體生長和外延層生長的工藝表現(xiàn)更為優(yōu)異，電子遷移率方面，4H-SiC 高于 3C-SiC 和 6H-SiC，為 4H-SiC MOSFET 提供了更好的微波特性。

行業(yè)痛點之良率：碳化硅襯底良率普遍偏低

良率低主要由2個環(huán)節(jié)構成：（1）晶棒良品率=半導體級晶棒產(chǎn)量/（半導體級晶棒產(chǎn)量+非半導體級晶棒產(chǎn)量）×100%；（2）襯底良品率=合格襯底產(chǎn)量/（合格襯底產(chǎn)量+不合格襯底產(chǎn)量）×100%。碳化硅的晶型多達200多種，而想要生成所需要的單一晶型（主流為4H晶型），需要非常精確的控制。另一方面，SiC襯底作為莫氏硬度達9.2的高硬度脆性材料，加工過程中存在易開裂問題，加工完成后的襯底易存在翹曲等質量問題。英飛凌為了提高產(chǎn)量，就曾在2018年收購了SiC晶圓切割領域的新銳公司Siltectra。

據(jù)天岳先進招股書披露，2018-2020 年和 2021 年 H1 公司的晶棒良率分別為 41%、38.57%、50.73%和49.90%，襯底良率分別為 72.61%、75.15%、70.44%和 75.47%，綜合良率目前大約為37.7%

行業(yè)痛點之襯底制備：條件苛刻+速度緩慢

根據(jù)中國科學技術協(xié)會援引未來智庫，以主流的 PVT 法為例，SiC 襯底制備面臨以下困難：

1）溫場控制困難：以目前的主流制備方法物理氣相傳輸法（PVT）為例，SiC 晶棒需要在 2500℃高溫下進行生產(chǎn)，而硅晶只需 1500℃，因此需要特殊的單晶爐，且在生產(chǎn)中需要精確調控生長溫度，控制難度極大。

2） 生產(chǎn)速度緩慢：SiC 晶棒厚度每小時生長速度視尺寸大小約為 0.2~1mm/小時，而硅晶棒可達每小時1~10mm/小時；生產(chǎn)周期方面，SiC晶棒約需要 7 至 10 天，長 度約 2cm，而硅晶棒只需要 3~4 天即可長成，長度可達 2m。

3）良品參數(shù)要求高，黑匣子良率難以及時控制：SiC 晶片的核心參數(shù)包括微管密度、 位錯密度、電阻率、翹曲度、表面粗糙度等，晶體生長過程中需要精確控制硅碳比、生長溫度梯度、晶體生長速率以及氣流氣壓等參數(shù)，否則容易產(chǎn)生多晶型夾雜，導致產(chǎn)出的晶體不合格；而在石墨坩堝的黑盒子中無法即時觀察晶體生長狀況，需要非常精確的熱場控制、材料匹配及經(jīng)驗累積。

4）晶體擴徑難度大：氣相傳輸法下，SiC 晶體生長的擴徑技術難度極大，隨著晶體尺寸的擴大，其生長難度工藝呈幾何級增長。

技術精進驅動缺陷密度下降，國內工藝飛速發(fā)展

表：國內6寸導電型碳化硅合格品參數(shù)與海外龍頭對比

3. 海外占據(jù)領先地位，國內奮起直追

碳化硅市場：海外廠商為主導

目前碳化硅襯底市場以海外廠商為主導，國內企業(yè)市場份額較小。碳化硅襯底產(chǎn)品的制造涉及設備研制、原料合成、晶體生長、晶體切割、晶片加工、清洗檢測等諸多環(huán)節(jié)，需要長期的工藝技術積累，存在較高的技術及人才壁壘。

根據(jù)華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院援引Yole數(shù)據(jù)，2020年上半年，碳化硅襯底市場（半絕緣和導電型）Wolfspeed市占率達到45%以上，國內龍頭天科合達和山東天岳的合計市場份額不到10%。山東天岳、爍科晶體（中電科孵化）、河北同光（中科院半導體所孵化）現(xiàn)有主要產(chǎn)品為高純半絕緣襯底，而天科合達（中科院物理所孵化）、世紀金光主要產(chǎn)品為導電型襯底。

半絕緣型襯底：市場高度集中，TOP3三分天下

從襯底的下游晶圓與器件來看，大量生產(chǎn)廠家仍然位于日本、歐洲與美國；但國內生產(chǎn)廠家在襯底領域已經(jīng)擁有了一定的市場份額。根據(jù)天岳先進招股書援引Yole數(shù)據(jù)，在2020年半絕緣型碳化硅襯底市場中，貳陸公司（II-IV）、科銳公司（Wolfspeed）以及天岳先進依次占據(jù)前三甲的位臵，市場份額分別為35%、33%和30%，市場高度集中。

導電型襯底：科銳（現(xiàn)Wolfspeed）為絕對龍頭

導電型產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)格局呈現(xiàn)美國全球獨大的特點，2018 年美國占有全球碳化硅晶片產(chǎn)量的 70%以上，僅 Wolfspeed就占據(jù)一半以上市場份額，剩余份額大部分被日本和歐洲的其他碳化硅企業(yè)占據(jù)。

導電型襯底下游的功率MOSFET市場中，意法半導體占據(jù)主要份額。

4. 下游需求強勁，空間+滲透率雙倍增長

碳化硅兩大產(chǎn)業(yè)鏈以碳化硅材料為襯底的產(chǎn)業(yè)鏈主要包括碳化硅襯底材料的制備、外延層的生長、器件制造以及下游應用市場。在碳化硅襯底上，主要使用化學氣相沉積法（CVD 法）在襯底表面生成所需的薄膜材料，即形成外延片，進一步制成器件。

應用領域最終主要分為射頻器件（5G、國防等）和功率器件（能源等）。

半絕緣碳化硅應用：碳化硅基氮化鎵占據(jù)主導地位

在RF GaN行業(yè)，一切都始于GaN-on-SiC技術。20多年前推出的GaN-on-SiC現(xiàn)在是RF功率應用中LDMOS和GaAs的重要競爭對手。射頻（RF）GaN的兩個市場驅動因素仍然是5G電信和國防。衛(wèi)星通信（SatCom）和消費類手機等新興細分市場也代表著新的機會。據(jù)Yole預測，GaN RF市場的總價值將在2020年-2026年間從8.91億美元增加到24億美元以上，復合年增長率（CAGR2020-2026）為18%。

半絕緣碳化硅應用：5G引領增長，GaN器件份額逐步提升

我國5G建設和應用保持在全球領先水平，根據(jù)工信部數(shù)據(jù)，2022年底5G基站總數(shù)將突破200萬個，而5G建設也是GaN射頻器件的主要下游應用領域。?

氮化鎵射頻器件正在取代 LDMOS 在通信宏基站、雷達及其他寬帶領域的應用。根據(jù)天岳先進招股書援引Yole，至 2025 年，功率在 3W 以上的射頻器件市場中，砷化鎵器件市場份額基本維持不變的情況下，氮化鎵射頻器件有望替代大部分硅基 LDMOS 份額，占據(jù)射頻器件市場約 50%的份額。

全球氮化鎵射頻器件市場規(guī)模將持續(xù)增長，從 2019 年的 7.4 億美元增長至 2025 年的 20億美元，期間年均復合增長率達到 18%。

半絕緣碳化硅應用：GaN-on-SiC 或GaN-on-Si？

為了提供滿足不斷增長的需求所需的帶寬，無線行業(yè)正在從今天的4G網(wǎng)絡全速前進到5G。電信運營商專注于提供最佳的客戶體驗，同時也需要控制資本和運營支出。因此，具有優(yōu)良性能和高效率的基礎設施和技術極為關鍵。為了5G更大的帶寬和更低的延遲，下一代無線基站（包括宏基站和小型基站）需要采用能夠滿足這些性能、效率和價值要求的技術，而氮化鎵（GaN）已成為一個至關重要的組成部分。GaN解決方案中，有一個常見的討論：對于RF應用，GaN-on-SiC 或GaN-on-Si 哪個是更好的解決方案？

Wolfspeed的聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席技術官John Palmour表示，與碳化硅相比，硅是一種相對便宜的襯底，但也有一些明顯的缺點。與硅相比，SiC器件可以降低系統(tǒng)成本和提高性能，因此，GaN-on SiC目前是一種整體價值更佳的方案。

導電型碳化硅應用：新能源驅動下游高速擴張

根據(jù) Yole 預計，2019 年碳化硅功率器件的市場規(guī)模為 5.41 億美元，預計 2025 年將增長至 25.62 億美元，復合年增長率約 30%。我們認為，受益于在電動汽車等下游應用的增長，導電型碳化硅襯底市場未來也將快速發(fā)展。

從應用端看，5年內新能源汽車的快速增長將成為碳化硅產(chǎn)業(yè)的近期增長引擎。2025-2030年，隨著充電樁設施完善、光伏技術成熟，預計將會給碳化硅產(chǎn)業(yè)帶來第二、第三驅動力。

導電型碳化硅應用：新能源車銷量+滲透帶來雙重增長

從應用領域來看，新能源汽車是SiC器件最大的應用市場，據(jù)Yole預測，其2025年份額將超過50%。新能源汽車行業(yè)的快速發(fā)展帶動了充電柱的需求增長。

另一方面，我們認為，隨著SiC零部件在電動車中不斷替代滲透，單車SiC價值量也將逐步增加。

導電型碳化硅應用：特斯拉引領SiC部件，800V帶來新機遇

特斯拉在Model3率先使用意法半導體和英飛凌的SiC逆變器。

隨著未來越來越多器件采用SiC后，平均2輛純電動車就需要一片150mm SiC晶圓。

導電型碳化硅應用：充電樁、光伏未來潛力無限

高壓領域，SiC還可以應用于電網(wǎng)、光伏、軌道交通等不同領域。

光伏逆變器中碳化硅功率器件的占比有望近年逐步提升，據(jù)CASA預測，2025年光伏逆變器中采用SiC的功率器件占比有望提升至50%。

5. 重點公司分析

Wolfspeed：驅動SiC商業(yè)化，引領技術革命

科銳公司（現(xiàn)Wolfspeed）的成立標志著SiC商業(yè)化的里程碑。目前，Wolfspeed依舊引領者SiC的技術革命和加速擴張。據(jù)Wolfspeed官網(wǎng)，公司計劃投資高達 10 億美元擴大其碳化硅和 GaN的產(chǎn)能，預計2017-2024整體產(chǎn)能將擴大30倍。

公司近年加強與上下游產(chǎn)業(yè)鏈的聯(lián)合，通過合同、聯(lián)盟或其他方式提前鎖定訂單，與下游主要企業(yè)簽訂了數(shù)個長期供貨協(xié)議，總金額達到13億美元。另一方面，公司不斷整合業(yè)務，2018年3月6日，公司根據(jù)與英飛凌的資產(chǎn)購買協(xié)議，收購了英飛凌射頻功率業(yè)務（RF Power）的部分資產(chǎn)；2020年，公司出售 LED 照明業(yè)務，專注 SiC 電力電子和 GaN 射頻。

2022年4月，全球第一家8英寸SiC襯底工廠，紐約州 Mohawk Valley工廠舉行剪彩儀式。

風險提示：新建工廠爬產(chǎn)不及預期。

II-IV：產(chǎn)業(yè)布局完善，研發(fā)業(yè)內領先

公司深耕SiC襯底20年，2015年宣布成功制造8英寸襯底，并計劃于2024年正式批量商用。

2022年2月碳化硅廠家，II-IV的1200V SiC MOSFET達到汽車級別標準，與通用電氣建立合作。

未來，公司預計自2022年起在10年內投資10億用于寬禁帶電子技術及相關產(chǎn)業(yè)。

風險提示：產(chǎn)能擴張不及預期；行業(yè)競爭激烈。

羅姆：推出第四代SiC MOSFET，加快產(chǎn)業(yè)滲透

ROHM的SiC產(chǎn)品陣容完善，旗下的SiCrystal位于德國紐倫堡，是一家高質量SiC晶圓廠商。

SiCrystal 計劃大力發(fā)展其產(chǎn)能和人力，中期目標是通過每年生產(chǎn)數(shù)100000個基板來實現(xiàn)九位數(shù)的銷售額。

風險提示：產(chǎn)能擴張不及預期；營收增長不及預期。

英飛凌：SiC功率領域商業(yè)化先驅

英飛凌在碳化硅 (SiC) 技術開發(fā)方面擁有超過 20 年歷史，目前可提供業(yè)內最全面的電源產(chǎn)品組合之一，包括從超低壓到高壓電源設備。

英飛凌的1700 V、1200 V 和 650 V CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品可應用于光伏逆變器、電池充電、儲能、電機驅動器、UPS和輔助電源等領域。

風險提示：上游供貨能力不足的風險；行業(yè)競爭加劇。

意法半導體：SiC器件龍頭，客戶分布廣泛

2017年11月，意法半導體的碳化硅功率器件開啟了SiC在高端汽車中的大規(guī)模應用。同時，公司計劃在2020至2022年間將SiC器件產(chǎn)能擴大2.5倍。

在2019年12月，意法半導體收購了瑞典SiC晶圓制造商Norstel，加強其內部碳化硅片供應，同時消除對外部晶圓源的依賴。公司預計將在2023年進行8英寸的商業(yè)化生產(chǎn)。

風險提示：上游供貨能力不足的風險；行業(yè)競爭加劇。

天岳先進：中國碳化硅襯底上市第一股

天岳先進成立于2010年，經(jīng)過十余年的技術發(fā)展，公司已掌握涵蓋了設備設計、熱場設計、粉料合成、晶體生長、襯底加工等環(huán)節(jié)的核心技術，自主研發(fā)了不同尺寸半絕緣型及導電型碳化硅襯底制備技術。公司于2022年1月12日登錄科創(chuàng)板。截至2021年，公司實現(xiàn)扭虧為盈，綜合毛利率自2019年后逐漸趨穩(wěn)。2021全年毛利率有所下降主要受可用來制作成莫桑石的晶棒產(chǎn)品降價的影響，目前市場宏觀環(huán)境等因素影響飾品類消費市場需求有所下滑，可用來制作成莫桑石的晶棒產(chǎn)品的毛利下滑；此外，公司產(chǎn)能向大尺寸及導電型產(chǎn)品切換，這部分產(chǎn)品短期內生產(chǎn)規(guī)模較小導致單位成本較半絕緣產(chǎn)品高，對毛利產(chǎn)生一定影響。

公司臨港工廠募投一期項目于2021年開工，預計于2022年三季度實現(xiàn)投產(chǎn)，2026年達到30萬片/年設計產(chǎn)能，主要生產(chǎn)6英寸導電型碳化硅襯底。2022年4月，公司披露通過16949車規(guī)認證。

風險提示：募投項目進展不及預期；國內疫情影響。

天科合達：導電型襯底為主，產(chǎn)能高速擴張

公司自 2006 年成立以來，一直專注于碳化硅晶體生長和晶片生產(chǎn)領域，先后研制出 2 英寸、3 英寸、4 英寸碳化硅襯底，于 2014 年在國內首次研制出 6 英寸碳化硅晶片，并已形成規(guī)?；a(chǎn)能力，工藝技術水平處于國內領先地位。

公司已具備成熟的 6 英寸晶片制備技術并實現(xiàn)規(guī)?；? 英寸產(chǎn)品仍在研發(fā)階段。2021年12月，公司披露通過16949車規(guī)認證。

風險提示：產(chǎn)能擴張不及預期；良率提升不及預期。

中電科：打造一流半導體科技企業(yè)

電子科技集團有限公司是中央直接管理的國有重要骨干企業(yè)，是我國軍工電子主力軍、網(wǎng)信事業(yè)國家隊、國家戰(zhàn)略科技力量。

近年來，中國電科促進資源整合，利用關鍵領域優(yōu)勢資源打造上市平臺，完善化合物半導體產(chǎn)業(yè)鏈布局。

風險提示：資產(chǎn)整合計劃不及預期；地緣政治影響。

中瓷電子：并購大股東GaN資產(chǎn)，打造一流半導體科技企業(yè)

氮化鎵通信基站射頻芯片資產(chǎn)業(yè)務：氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務資產(chǎn)及負債專注于氮化鎵通信基站射頻芯片的設計、生產(chǎn)和銷售，主要產(chǎn)品為氮化鎵射頻芯片，頻率覆蓋無線通信主要頻段，芯片指標達到國內領先水平，是國內少數(shù)實現(xiàn)批量供貨主體之一 。

博威公司主營業(yè)務為氮化鎵通信基站射頻芯片與器件、微波點對點通信射頻芯片與器件的設計、封裝、測試和銷售，主要產(chǎn)品包括氮化鎵通信基站射頻芯片與器件、微波點對點通信射頻芯片與器件等。

國聯(lián)萬眾主要從事氮化鎵射頻芯片和碳化硅功率芯片的設計、測試、銷售，主要產(chǎn)品包括氮化鎵通信基站射頻芯片、碳化硅功率芯片等。

風險提示：并購失敗的風險；并購資產(chǎn)業(yè)務不達預期。

三安光電：LED領頭羊，大力投入SiC襯底業(yè)務

公司主要從事全色系超高亮度 LED 外延片、芯片、Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料、微波通訊集成電路與功率器件、光通訊元器件等的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售。2018 年，三安光電在福建泉州南安高新技術產(chǎn)業(yè)園區(qū)，斥資 333 億元投資Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料、LED 外延、芯片、微波集成電路、光通訊、射頻濾波器、電力電子、SiC 材料及器件、特種封裝等產(chǎn)業(yè)。2022 年項目建成后，三安光電將實現(xiàn)在半導體化合物高端領域的全產(chǎn)業(yè)鏈布局。

風險提示：襯底業(yè)務進展不及預期。

6、觀點總結

行業(yè)趨勢：高速擴張，襯底掌舵

1. 襯底環(huán)節(jié)工藝缺陷直接影響器件及應用質量

2. 襯底擴徑、放量和降本進度決定行業(yè)滲透進程

3. 襯底直接決定供應鏈穩(wěn)定性，下游鎖定訂單+延伸產(chǎn)業(yè)鏈

半絕緣型：增幅趨緩，國產(chǎn)份額提升

1. 5G降速，國防軍工將帶來主驅動

2. 擴徑成為關鍵競爭力：降本+份額替代

導電型：產(chǎn)能決定瓶頸，工藝決定上限

1. 襯底持續(xù)供不應求，產(chǎn)能快速擴張?zhí)峁┣腥胂掠蜗葯C2. 公司實力體現(xiàn)在良率+工藝參數(shù)2方面，車規(guī)級>P級>R級>D級

行業(yè)難點：行業(yè)整體空間亟待打開；國內仍與國外有一定差距

1. 價格仍處高位，產(chǎn)業(yè)滲透仍處早期——關注價格下降+滲透上升情況

2. 行業(yè)集中度高，國外起步早，份額高+工藝迭代快——關注國內迭代進度+放量情況核心壁壘：晶體制備技術；產(chǎn)業(yè)協(xié)同效應。

我們認為，碳化硅行業(yè)的核心壁壘主要在于上游的晶體制備技術和產(chǎn)業(yè)整體協(xié)同效應兩方面，因此在行業(yè)的快速發(fā)展中，優(yōu)質襯底廠商和具有強大資源整合能力的企業(yè)將更加具有競爭力。建議關注：天岳先進、中瓷電子。

風險提示：產(chǎn)能擴張不及預期，行業(yè)景氣度不及預期風險；技術研發(fā)風險。

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