碳化硅廠家 黑碳化硅生產(chǎn)商

半導(dǎo)體器件是現(xiàn)代工業(yè)整機(jī)設(shè)備的核心，廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、消費(fèi)類電子、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車電子等核心領(lǐng)域，半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)主要由四個(gè)基本部分組成：集成電路、光電器件、分立器件、傳感器，其中集成電路占到了80%以上，因此通常又將半導(dǎo)體和集成電路等價(jià)。

集成電路碳化硅廠家，按照產(chǎn)品種類又主要分為四大類：微處理器、存儲(chǔ)器、邏輯器件、模擬器件。然而隨著半導(dǎo)體器件應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴(kuò)大碳化硅廠家，許多特殊場合要求半導(dǎo)體能夠在高溫、強(qiáng)輻射、大功率等環(huán)境下依然能夠堅(jiān)持使用、不損壞，第一、二代半導(dǎo)體材料便無能為力，于是第三代半導(dǎo)體材料便應(yīng)運(yùn)而生。

目前，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料以更大的優(yōu)勢主導(dǎo)，統(tǒng)稱第三代半導(dǎo)體材料。第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度，更高的擊穿電場、熱導(dǎo)率、電子飽和速率及更高的抗輻射能力，更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，通常又被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料（禁帶寬度大于2.2eV），亦稱為高溫半導(dǎo)體材料。從目前第三代半導(dǎo)體材料和器件的研究來看，較為成熟的是碳化硅和氮化鎵半導(dǎo)體材料，且碳化硅技術(shù)為成熟，而氧化鋅、金剛石、氮化鋁等材料的研究尚屬起步階段。

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