泰州市明生磨料磨具廠
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按照電學性能的不同,碳化硅材料制成的器件分為導電型碳化硅功率器件和半絕緣型碳化硅射頻器件,兩種類型碳化硅器件的終端應用領域不同。其中,導電型碳化硅功率器件是通過在低電阻率的導電型襯底上生長碳化硅外延層后進一步加工制成,包括造肖特基二極管、MOSFET、IGBT等,主要用于電動汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、充電等領域。
Yole數(shù)據(jù)顯示,2021年汽車市場導電型碳化硅功率器件規(guī)模達6.85億美元,占比62.8%,能源、工業(yè)和交通應用市場占比分別為14.1%,11.6%和7.2%。預計到2027年,汽車市場導電型碳化硅功率器件規(guī)模達49.86億美元,占比79.2%,能源、工業(yè)和交通應用市場占比分別降至7.3%,8.7%和3.0%。
圖:2027 年導電型碳化硅功率器件下游應用占比預測
據(jù)相關(guān)市場報告,在多種應用領域當中碳化硅廠,碳化硅功率器件在電動汽車領域的市場增速高于高壓充電樁、光伏發(fā)電和交通軌道領域,需求量大大增加。我們知道,碳化硅在電動汽車領域主要用于主驅(qū)逆變器、車載充電系統(tǒng)(OBC)、電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)(車載 DC/DC)和非車載充電樁。
特別是在電動汽車主驅(qū)逆變器中,相比Si-IGBT,碳化硅MOSFET具有明顯優(yōu)勢。一是碳化硅MOSFET功率轉(zhuǎn)換效率更高,電動汽車續(xù)航距離可延長5-10%,即在同樣續(xù)航里程的情況下可削減電池容量,降低電池成本;二是碳化硅MOSFET的高頻特性可使逆變器線圈、電容小型化碳化硅廠,電驅(qū)尺寸可大幅減少,可聽噪聲的降低能減少電機鐵損;三是碳化硅MOSFET可承受更高電壓,在電機功率相同的情況下可以通過提升電壓來降低電流強度,從而使得束線輕量化,節(jié)省安裝空間。
雖然當前碳化硅器件單車價格高于Si-IGBT,但上述優(yōu)勢可降低整車系統(tǒng)成本。以特斯拉Model 3為例,其首次將Si IGBT替換為SiC器件,汽車逆變器效率大幅提升。當前比亞迪、蔚來、小鵬、保時捷等車廠正在轉(zhuǎn)向在電驅(qū)中使用碳化硅MOSFET器件,而且在車廠逐漸形成趨勢。
截至2022年底,全國新能源汽車保有量達1310萬輛,占汽車總量的4.10%,同比增長 67.13%。其中,純電動汽車保有量1045萬輛,占新能源汽車總量的79.78%。根據(jù)全球碳化硅領域龍頭廠商Wolfspeed公司的預測,到2026年汽車中逆變器所占據(jù)的碳化硅價值量約為83%,是電動汽車中價值量最大的部分;其次為OBC,價值量占比約為15%;DC-DC轉(zhuǎn)換器中,SiC價值量占比在2%左右。
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